630A
Номер детали:
630A
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N-CH 200V 11A TO-252
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11A (Tc)
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 83W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус TO-252
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V