A2T18H410-24SR6
Номер детали:
A2T18H410-24SR6
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
NXP USA Inc.
Описание:
RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Ток (Амперы) -
- Коэффициент шума -
- Технология LDMOS
- Номинальное напряжение 65 V
- Напряжение - Тест 28 V
- Ток - Тест 800 mA
- Частота 1.81GHz
- Конфигурация Dual
- Коэффициент усиления 17.4dB
- Корпус NI-1230-4LS2L
- Поставщик Устройство Корпус NI-1230-4LS2L
- Мощность - Выход 71W