A3I25X050GNR1
Номер детали:
A3I25X050GNR1
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
NXP USA Inc.
Описание:
RF MOSFET LDMOS 28V OM400G-8
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Частота 2.3GHz ~ 2.7GHz
- Коэффициент шума -
- Номинальное напряжение 65 V
- Напряжение - Тест 28 V
- Ток - Тест 130 mA
- Ток (Амперы) 10µA
- Коэффициент усиления 28.8dB
- Мощность - Выход 5.6W
- Технология LDMOS (Dual)
- Конфигурация 2 N-Channel
- Корпус OM-400G-8
- Поставщик Устройство Корпус OM-400G-8