A5G08H800W19NR3
Номер детали:
A5G08H800W19NR3
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
NXP USA Inc.
Описание:
A5G08H800W19NR3
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Класс -
- Квалификация -
- Ток (Амперы) -
- Конфигурация -
- Коэффициент шума -
- Номинальное напряжение 125 V
- Коэффициент усиления 18.2dB
- Напряжение - Тест 50 V
- Частота 865MHz ~ 960MHz
- Ток - Тест 350 mA
- Технология GaN
- Мощность - Выход 112W
- Корпус OM-780-4S4S
- Поставщик Устройство Корпус OM-780-4S4S