AIMBG120R040M1XTMA1
Номер детали:
AIMBG120R040M1XTMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
SIC_DISCRETE
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-7-12
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 48A