AIMCQ120R020M1TXTMA1
Номер детали:
AIMCQ120R020M1TXTMA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
SIC_DISCRETE
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 116A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 82 nC @ 20 V
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (макс.) +25V, -10V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 577W (Tc)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V, 20V
- Корпус 22-PowerBSOP Module
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 25mOhm @ 43A, 20V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2667 pF @ 800 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-HDSOP-22
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.1V @ 13.7mA