AIMZH120R060M1TXKSA1
Номер детали:
AIMZH120R060M1TXKSA1
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
SIC_DISCRETE
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 38A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 V
- Корпус TO-247-4
- Технология SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs (макс.) +23V, -5V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 18V, 20V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 197W (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 75mOhm @ 13A, 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.1V @ 4.3mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 32 nC @ 20 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 880 pF @ 800 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO247-4-11