ALD1105PBL
Номер детали:
ALD1105PBL
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Advanced Linear Devices Inc.
Описание:
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14PDIP
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Корпус 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Поставщик Устройство Корпус 14-PDIP
- Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TJ)
- Мощность - Максимальная 500mW
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs -
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C -
- Напряжение сток-исток (Vdss) 10.6V
- Конфигурация 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 1µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3pF @ 5V