ALD212908PAL
Номер детали:
ALD212908PAL
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Advanced Linear Devices Inc.
Описание:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Корпус 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Статус детали Active
- Поставщик Устройство Корпус 8-PDIP
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TJ)
- Мощность - Максимальная 500mW
- FET Особенности Logic Level Gate
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs -
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds -
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs -
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
- Напряжение сток-исток (Vdss) 10.6V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 80mA
- Vgs(th) (макс.) при Id 20mV @ 10µA