APTMC120HR11CT3AG
Номер детали:
APTMC120HR11CT3AG
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 26A SP3
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 26A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус SP3
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Мощность - Максимальная 125W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 98mOhm @ 20A, 20V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 950pF @ 1000V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 62nC @ 20V