BLP10H660PGY
Номер детали:
BLP10H660PGY
Категория продукта:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Ampleon USA Inc.
Описание:
RF MOSFET LDMOS 50V 4HSOP
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Коэффициент шума -
- Коэффициент усиления 18dB
- Номинальное напряжение 110 V
- Технология LDMOS
- Напряжение - Тест 50 V
- Мощность - Выход 60W
- Ток - Тест 40 mA
- Частота 1GHz
- Корпус 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
- Поставщик Устройство Корпус 4-HSOP
- Ток (Амперы) 1.4µA