BSB044N08NN3GXUMA2
Номер детали:
BSB044N08NN3GXUMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Корпус DirectFET™ Isometric ST
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 73 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 18A (Ta), 90A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 97µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5700 pF @ 40 V
- Поставщик Устройство Корпус MG-WDSON-2