BSB056N10NN3GXUMA3
Номер детали:
BSB056N10NN3GXUMA3
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 74 nC @ 10 V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V, 10V
- Корпус DirectFET™ Isometric MN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 100µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9A (Ta), 83A (Tc)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 5500 pF @ 50 V
- Поставщик Устройство Корпус MG-WDSON-5-3