BSB104N08NP3GXUMA2
Номер детали:
BSB104N08NP3GXUMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH 40<-<100V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 31 nC @ 10 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13A (Ta), 50A (Tc)
- Корпус DirectFET™ Isometric MP
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.5V @ 40µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2100 pF @ 40 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.8W (Ta), 42W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус MG-WDSON-2-6