BSDD08G65E2
Номер детали:
BSDD08G65E2
Категория продукта:
Типы выпрямительных диодов
Производитель:
Bourns Inc.
Описание:
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Ток - Средний выпрямленный (Io) 8A
- Рабочая температура - переход -55°C ~ 175°C
- Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If 1.7 V @ 8 A
- Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик Устройство Корпус TO-252 (DPAK)
- Технология SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr) 0 ns
- Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.) 650 V
- Ток - Обратная утечка при Vr 40 µA @ 650 V
- Емкость при Vr, Ф 267pF @ 1V, 1MHz