BSM300D12P4G101
Номер детали:
BSM300D12P4G101
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Упаковка:
Box
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs -
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs -
- Рабочая температура 175°C (TJ)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 30000pF @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 291A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4.8V @ 145.6mA
- Мощность - Максимальная 925W (Tc)