BSP170P
Номер детали:
BSP170P
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
UMW
Описание:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
- Корпус TO-261-4, TO-261AA
- Рабочая температура -55°C ~ 155°C (TJ)
- Поставщик Устройство Корпус SOT-223-4
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.8W (Ta)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 1.9A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V