BSZ105N04NSGATMA2
Номер детали:
BSZ105N04NSGATMA2
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
TRENCH <= 40V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 17 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1300 pF @ 20 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11A (Ta), 40A (Tc)
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 14µA
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PG-TSDSON-8-1