CAB3R5M12DM4
Номер детали:
CAB3R5M12DM4
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Wolfspeed, Inc.
Описание:
SIC MODULE
Упаковка:
Box
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 383A (Tc)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 311A, 15V
- Vgs(th) (макс.) при Id 3.6V @ 81mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1044nC @ 15V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 29000pF @ 800V
- Мощность - Максимальная 980W (Tc)