CDF56G6511N TR13 PBFREE
Номер детали:
CDF56G6511N TR13 PBFREE
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Описание:
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 11.5A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (5x6)
- Корпус 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
- Технология GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 6V
- Vgs (макс.) +7V, -1.4V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 190mOhm @ 3.9A, 6V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 12.2mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 2.8 nC @ 6 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 96 pF @ 400 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.1W (Ta), 84W (Tc)