CSD75207W15
Номер детали:
CSD75207W15
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Texas Instruments
Описание:
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Мощность - Максимальная 700mW
- Поставщик Устройство Корпус 9-DSBGA
- Корпус 9-UFBGA, DSBGA
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.1V @ 250µA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.9A
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 3.7nC @ 4.5V
- Напряжение сток-исток (Vdss) -
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual) Common Source
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 162mOhm @ 1A, 1.8V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 595pF @ 10V