DF11MR12W1M1B11BOMA1
Номер детали:
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Максимальная -
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Технология Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 50A
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3950pF @ 800V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.5V @ 20mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 125nC @ 5V
- Поставщик Устройство Корпус AG-EASY1BM-2