DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Номер детали:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Корпус Module
- Мощность - Максимальная -
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 4 N-Channel
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 50A (Tj)
- Поставщик Устройство Корпус AG-EASY3B
- Напряжение сток-исток (Vdss) 2000V (2kV)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 60A, 18V
- Vgs(th) (макс.) при Id 5.15V @ 34mA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 234nC @ 18V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 7240pF @ 1.2kV