DIJ2A3N65
Номер детали:
DIJ2A3N65
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diotec Semiconductor
Описание:
MOSFET ITO-220AB N 650V 2.3A
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 250µA
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-220-3 Full Pack
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 30W (Tc)
- Vgs (макс.) ±30V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 13 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 560 pF @ 25 V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2.3A (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус ITO-220F
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2.6Ohm @ 3.5A, 10V