DMC1018UPD-13
Номер детали:
DMC1018UPD-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.5V @ 250µA
- Конфигурация N and P-Channel
- Мощность - Максимальная 2.3W
- Корпус 8-PowerTDFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12V, 20V
- Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9.5A, 6.9A
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 30.4nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1525pF @ 6V