DMC2020USD-13
Номер детали:
DMC2020USD-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SO
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.5V @ 250µA
- Конфигурация N and P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- FET Особенности Logic Level Gate
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V
- Мощность - Максимальная 1.8W
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 11.6nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1149pF @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 7.8A, 6.3A