DMC3016LNS-13
Номер детали:
DMC3016LNS-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Конфигурация N and P-Channel Complementary
- Корпус 8-PowerVDFN
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 9.5nC @ 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус POWERDI3333-8
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9A (Ta), 6.8A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
- Мощность - Максимальная 1.3W (Ta)