DMC3032LFDB-13
Номер детали:
DMC3032LFDB-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Конфигурация N and P-Channel Complementary
- Мощность - Максимальная 800mW
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик Устройство Корпус U-DFN2020-6 (Type B)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 500pF @ 15V, 336pF @ 25V