DMHT3006LFJ-13
Номер детали:
DMHT3006LFJ-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13A (Ta)
- Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 17nC @ 10V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1171pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 1.3W (Ta)
- Корпус 12-PowerVDFN
- Поставщик Устройство Корпус V-DFN5045-12 (Type C)