DMN1005UFDF-7
Номер детали:
DMN1005UFDF-7
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Vgs (макс.) ±8V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12 V
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 800mW (Ta)
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик Устройство Корпус U-DFN2020-6
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 14.1A (Ta)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 6mOhm @ 4A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 29.7 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2014 pF @ 6 V