DMN1150UFL3-7
Номер детали:
DMN1150UFL3-7
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 2A
- Напряжение сток-исток (Vdss) 12V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.4nC @ 4.5V
- Корпус 6-XFDFN Exposed Pad
- Поставщик Устройство Корпус X2-DFN1310-6 (Type B)
- Мощность - Максимальная 390mW
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1A, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 115pF @ 6V