DMN2028UFDH-7
Номер детали:
DMN2028UFDH-7
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- FET Особенности Logic Level Gate
- Мощность - Максимальная 1.1W
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4A, 10V
- Корпус 8-PowerVDFN
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 8.5nC @ 4.5V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 6.8A
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 151pF @ 10V
- Поставщик Устройство Корпус PowerDI3030-8