DMN2050LFDB-7
Номер детали:
DMN2050LFDB-7
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 12nC @ 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.3A
- Мощность - Максимальная 730mW
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус U-DFN2020-6 (Type B)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 389pF @ 10V