DMN2451UFB4Q-7B
Номер детали:
DMN2451UFB4Q-7B
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 1.3A (Ta)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 20 V
- Vgs (макс.) ±12V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.8V, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 6.4 nC @ 10 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус X2-DFN1006-3
- Корпус 3-XFDFN
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 660mW (Ta)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 32 pF @ 16 V