DMN3011LFDF-7
Номер детали:
DMN3011LFDF-7
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
IC
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 10.8A (Ta)
- Корпус 6-UDFN Exposed Pad
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.4W (Ta)
- Поставщик Устройство Корпус U-DFN2020-6 (Type F)
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1130 pF @ 15 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 19.7 nC @ 10 V