DMN3016LDV-7
Номер детали:
DMN3016LDV-7
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 21A PWRDI3333
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (макс.) при Id 2V @ 250µA
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 21A (Tc)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Корпус 8-PowerVDFN
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 9.5nC @ 4.5V
- Поставщик Устройство Корпус POWERDI3333-8
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1184pF @ 15V