DMN3135LVT-7
Номер детали:
DMN3135LVT-7
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Корпус SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3.5A
- Мощность - Максимальная 840mW
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.2V @ 250µA
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 305pF @ 15V
- Поставщик Устройство Корпус TSOT-26
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.1nC @ 4.5V