DMN32D4SDW-13
Номер детали:
DMN32D4SDW-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.6V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Корпус 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поставщик Устройство Корпус SOT-363
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 50pF @ 15V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 650mA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 400mOhm @ 250mA, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.3nC @ 10V
- Мощность - Максимальная 290mW