DMN3732UFB4-7B

DMN3732UFB4-7B

Номер детали: DMN3732UFB4-7B
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 1.3A (Ta)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
  • Vgs (макс.) ±8V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 950mV @ 250µA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 460mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Поставщик Устройство Корпус X2-DFN1006-3
  • Корпус 3-XFDFN
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 490mW (Ta)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 40.8 pF @ 25 V