DMN63D1LVQ-7
Номер детали:
DMN63D1LVQ-7
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.477A SOT563
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 1mA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Корпус SOT-563, SOT-666
- Поставщик Устройство Корпус SOT-563
- Мощность - Максимальная 450mW (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.04nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 41pF @ 30V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 477mA (Ta)