DMNH6021SPDW-13
Номер детали:
DMNH6021SPDW-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 25mOhm @ 15A, 10V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
- Мощность - Максимальная 1.5W (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 20.1nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1143pF @ 25V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 8.2A (Ta), 32A(Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8 (Type R)