DMP1008UCB9-7
Номер детали:
DMP1008UCB9-7
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 2.5V, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
- Напряжение сток-исток (Vdss) 8 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.1V @ 250µA
- Vgs (макс.) -6V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 9.8A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 840mW (Ta)
- Корпус 9-UFBGA, WLBGA
- Поставщик Устройство Корпус U-WLB1515-9
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 900 pF @ 4 V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 2A, 4.5V