DMP31D1UFB4-7B
Номер детали:
DMP31D1UFB4-7B
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 500mW (Ta)
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 900mA (Ta)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
- Vgs (макс.) ±8V
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 1.8V, 4.5V
- Vgs(th) (макс.) при Id 1.1V @ 250µA
- Поставщик Устройство Корпус X2-DFN1006-3
- Корпус 3-XFDFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1Ohm @ 400mA, 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 54 pF @ 15 V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1.6 nC @ 8 V