DMS3019SSD-13
Номер детали:
DMS3019SSD-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Surface Mount
- Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик Устройство Корпус 8-SO
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- FET Особенности Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.4V @ 250µA
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 42nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1932pF @ 15V
- Мощность - Максимальная 1.19W
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 7A, 5.7A