DMT10H075LE-13

DMT10H075LE-13

Номер детали: DMT10H075LE-13
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус TO-261-4, TO-261AA
  • Поставщик Устройство Корпус SOT-223-3
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 4A (Ta)
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.4W (Ta)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 228 pF @ 50 V