DMT32M4LPSW-13

DMT32M4LPSW-13

Номер детали: DMT32M4LPSW-13
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 1mA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 68 nC @ 10 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 100A (Tc)
  • Корпус 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.3W (Ta), 83W (Tc)
  • Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3944 pF @ 15 V