DMT8007LPSW-13
Номер детали:
DMT8007LPSW-13
Категория продукта:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (макс.) ±20V
- FET Особенности -
- Класс -
- Квалификация -
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 100A (Tc)
- Напряжение сток-исток (Vdss) 80 V
- Vgs(th) (макс.) при Id 2.8V @ 1mA
- Корпус 8-PowerTDFN
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 14A, 10V
- Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
- Рассеиваемая мощность (максимальная) 1.5W (Ta), 104W (Tc)
- Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8 (Type UX)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 45.3 nC @ 10 V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2682 pF @ 40 V