DMTH6005LFGQ-7

DMTH6005LFGQ-7

Номер детали: DMTH6005LFGQ-7
Категория продукта: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -
PDF: Данные

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Корпус 8-PowerVDFN
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 17A (Ta), 98A (Tc)
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V
  • Поставщик Устройство Корпус POWERDI3333-8
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 2.38W (Ta), 75W (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 47.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3223 pF @ 30 V