DMTH6010LPDW-13
Номер детали:
DMTH6010LPDW-13
Категория продукта:
FET, массивы MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
-
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Технология MOSFET (Metal Oxide)
- FET Особенности -
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
- Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
- Rds On (Макс) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V
- Корпус 8-PowerTDFN
- Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 40.2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2615pF @ 30V
- Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Мощность - Максимальная 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)