DMTH6016LPSWQ-13

DMTH6016LPSWQ-13

Номер детали: DMTH6016LPSWQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: -

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технология MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (макс.) ±20V
  • FET Особенности -
  • Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Класс Automotive
  • Квалификация AEC-Q101
  • Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 17 nC @ 10 V
  • Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
  • Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
  • Корпус 8-PowerTDFN
  • Rds On (Макс) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 864 pF @ 30 V
  • Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 10.6A (Ta), 37.1A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (максимальная) 3W (Ta), 37.5W (Tc)
  • Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8 (Type UX)